图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Marking Content 19/Nov/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 455pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET (2x2) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6MicroFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 3.7 A |
| RDS -于 | 680@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 典型下降时间 | 3 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | MicroFET |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 680@4.5V |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | MicroFET |
| 最大功率耗散 | 1400 |
| 最大连续漏极电流 | 3.7 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.7A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 6-MicroFET (2x2) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 455pF @ 10V |
| 其他名称 | FDFMA2N028ZTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm |
| 身高 | 0.75mm |
| 长度 | 2mm |
| 最大漏源电阻 | 90 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.4 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | MicroFET |
| 典型栅极电荷@ VGS | 4 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 340 pF V @ 10 |
| 宽度 | 2mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 3.7 A |
| 封装/外壳 | MicroFET 2x2 |
| 下降时间 | 8 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.002116 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 16 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 系列 | FDFMA2N028Z |
| RDS（ON） | 68 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 1.4 W |
| 上升时间 | 8 ns |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| Continuous Drain Current Id | :3.7A |
| Drain Source Voltage Vds | :20V |
| On Resistance Rds(on) | :68mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| 功耗 | :1.4mW |
| Transistor Case Style | :µFET |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Current Id Max | :30A |
| Forward Current If(AV) | :450µA |
| Forward Voltage VF Max | :0.45V |
| 端接类型 | :SMD |
| 晶体管类型 | :Trench |
| Voltage Vds Typ | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :4.5V |
| Voltage Vgs th Max | :2.5V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
FDFMA2N028Z也可以通过以下分类找到
FDFMA2N028Z相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家